IT PAPER

황의 법칙 (Hwang's Law)

배경: 무어의 법칙이 한계에 맞닥뜨리던 시점에, 삼성전자의 황창규 사장에 의해 제안된 개념이다. 당시에는 무어의 법칙을 유지하기 위해 반도체의 크기를 줄이는 것에 초점이 맞춰져 있었지만, 다양한 분야에 적용되는 메모리 발전을 설명할 필요가 있었기에 황 사장은 'More than Moore'를 외치며 메모리 반도체 또한 CPU와 마찬가지로 빠른 속도로 발전하고 있음을 보여주고자 했다. 내용: 메모리 반도체의 데이터 저장 용량은 1년마다 두 배로 증가한다. 영향: 데이터 저장 용량의 급격한 증가, 기술 혁신의 원동력, 산업 전반의 성능 향상 증명 사례: 1999년부터 꾸준하게 지켜온 삼성전자의 데이터 저장 용량 장치 개발 한계: 반도체 미세화 공정의 한계로 인한 발열문제, 전력소모 모색되는 새로운 접근법: ..

배경 : 1965년 논문을 통해 반도체 칩의 트랜지스터 수를 분석하던 무어는 반도체 기술의 발전이 기하급수적으로 이루어질 것이라고 예측하게 된다. 내용 :마이크로칩의 용량(반도체 칩에 집적되는 트랜지스터의 수)은 2년마다 두 배로 증가한다.( = 반도체의 성능이 일정한 속도로 빠르게 발전하며, 동시에 비용은 감소한다) 영향 : 반도체 산업의 기술 혁신을 이끄는 원동력: 비약적인 전자기기 성능 향상, 전자제품의 대중화(비용 절감) 증명 사례: intel의 2bit Flash Memory, IBM의 Damascene 공정 한계 : 최근에는 트랜지스터의 크기가 원자 수준에 가까워지며 물리적 한계에 다다르게 되어 속도가 느려지고 있다.발생되는 문제 : 퀸텀 터널링(누설 문제), 밀도 증가로 생긴 발열 문제, 초..

📄 개요  : 반도체 산업은 끊임없는 발전을 거듭하며 기술의 한계를 극복해가고 있으며, 발전 방향은 크게 세 가지로 요약할 수 있다. 각 요소는 서로 연관되어 반도체의 성능과 효율을 높이고 비용을 절감한다. 1. Scale Down: 반도체의 트랜지스터 크기를 줄여 칩의 집적도를 높이는 기술.scale down을 통해 동일한 면적의 웨이퍼에 더 많은 칩을 제조할 수 있게 되고, 이는 더욱 미세한 회로 제작을 가능하게 한다. → 생산량 향상, 비용 절감 동향 ) 현재 반도체 업계는 3nm 이하의 공정으로 진입하며 '초미세 공정 기술'을 활용하고 있다.한계 ) 스케일 다운이 계속됨에 따라 물리적 한계( Gate와 Channel의 맞닿는 면적 또한 줄어들게 되면서, Gate의 제어능력이 줄어듦 → 누설 전류..

📢 1800년대 ~ 현재까지의 반도체 역사  📍1877 (그레이엄 벨의 전화기 발명부터 반도체 사용 시작) *전자석 : 음성을 전기신호로 바꾸는 역할  📍 1952 : 트랜지스터 개발*트랜지스터 : 전류의 방향을 바꾸거나 증폭시키는 소자로, 아날로그 회로에서 중요한 반도체 소자로 사용됨  📍1961(~1970 미국 반도체 시장의 호황기) : 메모리 반도체 개발*메모리 반도체 : 정보를 저장할 수 있는 반도체- 메모리 반도체가 텍사스 인스트루먼트에서 개발되고, 인텔에서 상용화하여 양산할 수 있는 체계를 만듦 📍1970s : 반도체 시장의 확장- 군용 및 상업용 컴퓨터의 사용이 늘어나며, 미국은 설계를 제외한 부분을 해외(일본)로 이전하기 시작함.  - 초기에는 아웃소싱으로 진행되었지만, 점차 일본..

📍 반도체반도체란?: 평상시에는 자유 전자가 없으나 특정 조건(온도 변화, 광학적 조건, 불순물 함양 등의 변화)에서만 도체처럼 전기가 흐르는 물질로, 도체와 부도체의 중간 특성을 가지고 있다.ex. 실리콘, 게르마늄  전기적 특성에 따른 물질도체 : 전기가 잘 통하는 물질 (구리, 철, 구리, 은, 금)부도체 : 전기가 흐르지 않는 물질절연체 : 전기가 거의 흐르지 않는 물질로, 전기 전도도가 매우 낮다. 회로에서 전류가 흐르지 않도록 막는 역할을 한다.  반도체의 특징온도 변화 :  온도가 높아지면 전도성이 증가광학적 조건(광 노출) : 밫에 노출되면 전도성 증가불순물 함유(도핑) : 불순물을 추가하여 전도성 조  📏 지표전도도 : 전기가 잘 통하는 정도(↔ 비저항 : 전기가 통하지 않는 정도) ..